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快科技5月5日消息,全球主要的两种存储芯片中,NAND闪存已经进入3D时代,容量比2D时代大幅提升,DRAM内存还停留在2D,现在美国NEO半导体公司日前宣布了全球首款3D内存,旨在解决内存容量瓶颈,容量追上SSD不是问题。

NEO是美国一家存储芯片技术公司,此前推出的3D X-NAND闪存号称解决了TLC、QLC闪存的性能及耐用性问题,这次推出的3D X-DRAM又号称全球首款类3D NAND的内存技术,将内存带入3D时代,要做内存行业的游戏规则改变者。

3D X-DRAM技术的思路跟3D NAND闪存类似,都是通过堆栈层数来提高内存容量,类似于闪存芯片中的FBC浮栅极技术,但增加一层Mask光罩就可以形成垂直结构,因此良率高,成本低,密度大幅提升。

NEO公司承诺,2025年推出的第一代3D X-DRAM就可以做到230层堆栈,核心容量128Gb,而当前2D DRAM内存的核心容量还在16Gb,实现了js8倍容量。

这还不算,编程NEO公司的目标是每10年将3D X-DRAM容量提升8倍,到2035年的时候推出1Tb核心容量的3D X-DRAM,相比现在总计64倍容量提升。

按照他们的说法,未来的内存不仅轻松TB容量起步,追上SSD硬盘也很容易,要知道当前3D闪存的核心容量也就512编程客栈Gb到1Tb。

不过NEO公司的问题在于他们自己没有晶圆厂,因此3D X-DRAM投入生产还要靠合作,他们计划寻找授权厂商,包括三星、SK海力士、美光、西数、铠侠等等。

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